vr
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Дом
продукты
производителей
О нас
Отправьте RFQ
Дом > продукты > Интегральные микросхемы > K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM
K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM
Категория:
Интегральные микросхемы
Цена:
Email us for details
Метод оплаты:
Paypal, TT, Western Union
Спецификации
Категория продукции:
SRAM
Размер запоминающего устройства:
4 Mbit
Организация:
512 k x 8
Время выборки:
25 ns
Тип интерфейса:
Параллельно
Подача напряжения - Макс:
5,5 v
Введение

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M (512Kx8) 25ns Асинхронная SRAM

 

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns Асинхронная SRAM

Тэги:

Одновременный понижение конвертер,

Вентильная матрица поля Programmable,

RT8077GQW

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
1PCS
Свяжитесь с нами
Адрес: Комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, район Футиань, Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
Электронная почта: sales@wisdtech.com.cn
Телефон: 86-0755-23606019
продукты

Интегральные микросхемы

Транзисторы RF

Оптоэлектроника

N P канал Mosfet

Модуль IGBT

Оптически датчики

керамические конденсаторы

Индукторы RF

Резисторы чипов

Светодиоды высокой мощности
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Китай Хорошее качество Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 Wisdtech Technology Co.,Limited . Все права Зарезервированный.