IXFN38N100Q2 Дискритетные полупроводниковые модули 38 Ампер 1000В 0,25 Rds
производитель:
IXYS
Описание:
IXFN38N100Q2 Дискритетные полупроводниковые модули 38 Ампер 1000В 0,25 Rds
Категория:
Модуль IGBT
В-запас:
100 шт.
Цена:
Email us for details
Метод оплаты:
T/T, Western Union
Спецификации
Код даты:
Новейший код
Перевозка:
DHL/UPS/Fedex
Состояние:
Новый*Оригинальный
Гарантия:
365 дней
Без свинца:
Соответствует требованиям Rohs
Время выполнения:
Немедленная отправка
Введение
IXFN38N100Q2 Дискритетные полупроводниковые модули 38 Ампер 1000В 0,25 Rds
| IXYS | |
| Категория продукции: | Дискретные полупроводниковые модули |
| RoHS: | Подробная информация |
| Модули MOSFET питания | |
| Да, да. | |
| - 30 В, + 30 В | |
| Подвеска на шасси | |
| SOT-227-4 | |
| - 55 C. | |
| + 150 C | |
| IXFN38N100 | |
| Трубка | |
| Марка: | IXYS |
| Конфигурация: | Одинокий |
| Время падения: | 15 нс |
| Высота: | 9.6 мм |
| Id - непрерывный отводный ток: | 38 А |
| Длина: | 38.23 мм |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Pd - рассеивание энергии: | 890 Вт |
| Тип продукции: | Дискретные полупроводниковые модули |
| Rds On - сопротивление источника оттока: | 250 мОмм |
| Время подъема: | 28 нс |
| Подкатегория: | Дискретные полупроводниковые модули |
| Торговое наименование: | HiPerFET |
| Полярность транзистора: | N-канал |
| Типичное время отключения: | 57 нс |
| Типичное время задержки включения: | 25 нс |
| Vds - напряжение отключения источника отвода: | 1 кВ |
| Ширина: | 25.42 мм |
| Единичная масса: | 1.058219 унций |
Телефон: +86-755-23606019
Адрес: комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, Футианский район,Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
Лэни
Телефон: +86-13420902155
Электронная почта: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn
Отправьте RFQ
Запасы:
100PCS
МОК:
1pcs
