Дом > продукты > Интегральные микросхемы > MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

Категория:
Интегральные микросхемы
Цена:
Email us for details
Метод оплаты:
Paypal, TT, Western Union
Спецификации
Код даты:
Новейший код
Перевозка:
DHL/UPS/FEDEX
Состояние:
Новый*Оригинальный
Гарантия:
365 дней
Без свинца:
Соответствует требованиям Rohs
Время выполнения:
Немедленная отправка
Пакет:
SOP16
Стил монтажа:
SMD/SMT
Выделить:

MX25L6445EMI-10G

,

Память IC 64 Мбит

,

MX25L6445EMI-10G интегральные схемы IC

Введение

 

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Память IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP

Категория
Мфр
Серия
Статус продукта
Не для новых моделей
DigiKey программируемый
Проверено
Тип памяти
Нелетающие
Пакет Трубка
Формат памяти
Технологии
ФЛАСШ - НО
Размер памяти
Организация памяти
8м х 8м
Интерфейс памяти
ППИ
Частота работы часов
104 МГц
Напишите время цикла - слово, страница
300 мкм, 5 мс
Напряжение - питание
2.7V ~ 3.6V
Операционная температура
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки
Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан
Пакет изделий поставщика
16-SOP
Номер базовой продукции

 

Описание:

Серийный периферийный интерфейс совместим - режим 0 и режим 3
64 Мб: 67,108,864 x 1-битная структура или 33,554,432 x 2 бит (два /0 режима)
конструкции или 16,777,216x 4 битов (четыре 10 режима) структура
2048 Равные секторы с 4K байтами каждый
- Каждый сектор может быть удален отдельно.
256 равных блоков с 32K байтами каждый
- Любой блок можно удалить по отдельности.
128 равных блоков с 64K байтами каждый
- Любой блок можно удалить по отдельности.
Операция питания
- от 2,7 до 3,6 вольт для чтения, стирания и программных операций
Застежка защищена от 100mA от -1V до Vcc +1V
 
ПЕРФОРМАЦИЯ
●Высокая производительность
VCC = 2,7 ~ 3,6 В
- Нормальное чтение.
- 50 МГц.
- Быстрое чтение (нормальный серийный режим)
.1 10: 104 МГц с 8 циклами манекенов
-2 l/O: 70 МГц с четырьмя циклами маневрирования
- 4 IO: 70 МГц с 6 манекенными циклами
- Быстрое чтение (режим двойной скорости передачи)
-1 10: 50 МГц с 6 циклами манекенов
- 2 IO: 50 МГц с 6 манекенными циклами
-410: 50 МГц с 8 манекенными циклами
- Быстрое время программы: 1,4 мс (обычно) и 5 мс (максимально) /страница (256-байт на страницу)
- Время программы байта: 9с (типично)
Непрерывно в режиме программы (автоматически увеличивает адрес в режиме программы слова)
. Время быстрого стирания: 60 мс (тип./сектор (4К-байта на сектор); 0,7 с (тип.) /блок (64К-байта на блок); 50 с (тип.) /чип
Низкое энергопотребление
- Низкий активный чтение тока: 19mA ((макс.) при 104MHz, 15mA ((макс.) при 66MHz и 10mA ((макс.) при 33MHz
- Низкий активный программный ток: 25mA (макс.)
- Низкий активный ток стертия: 25mA (макс.)
- Низкий резервный ток: 50uA (максимум)
- глубокий подающий ток: 20uA (максимум)
Типичные 100 000 циклов стирания/программы
Хранение данных 20 лет
 
 

 

 
 

 

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

 

MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP интегральные схемы IC

 

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
1pcs