MT40A1G16KNR-075:E SDRAM DDR4 Память IC 16Gbit Параллельный 1,33 ГГц 19 ns Интегрированная схема
MT40A1G16KNR-075: E
,MT40A1G16KNR-075:E Мемориальный IC
,SDRAM DDR4 IC памяти
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - DDR4 Память IC 16Gbit Параллельная 1,33 ГГц 19 нс
| Технология микронов | |
| Категория продукции: | DRAM |
| RoHS: | Подробная информация |
| SDRAM - DDR4 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-96 | |
| 16 бит | |
| 1 Г х 16 | |
| 16 Гбит | |
| 10,6 ГГц | |
| 13.5 нс | |
| 1.26 В | |
| 1.14 В | |
| 118 мА | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT40A | |
| Поднос | |
| Марка: | Микрон |
| Чувствительны к влаге: | - Да, конечно. |
| Тип продукции: | DRAM |
| Подкатегория: | Память и хранение данных |
| Торговое наименование: | Двойняшка |
| Единичная масса: | 0.227649 унций |
Описание
16 Гб (TwinDieTM) DDR4 SDRAM использует 8 Гб DDR4 SDRAM от Micron; два x8 объединены для создания
Один x16. аналогичные сигналы как моно x16, есть один дополнительный ZQ соединение для более быстрой ZQ калибровки и
Контроль BG1 требуется для адресации x8. См. для этого информацию в листе данных Micron 8Gb DDR4 SDRAM (опция x8)
спецификации, не включенные в настоящий документ.
к производственной части TwinDie с номером MT40A1G16.
Особенности
• Использует две пробки 8 ГБ для изготовления одной пробки 16 ГБ
• одноуровневые TwinDie • VDD = VDDQ = 1,2V (1,14-1,26V)
• 1,2 В ВДДК-окончательный В/В
• Стандартный JEDEC-боул-аут
• Непреднамеренный пакет
• TC от 0°C до 95°C - 0°C до 85°C: 8192 цикла обновления в 64ms - 85°C до 95°C: 8192 цикла обновления в 32ms
Конфигурация параметров
- 64 мега, 16 х 16 банков, 1 ранг.
Пакет FBGA из 96 шаров (без Pb)
-9.5 ммx14 ммx1.2 ммDieRev:A
- 8,0 мм х 14 мм х 1,2 мм.
- 7,5 мм х 13,5 мм х 1,2 мм
Время - время цикла
- 0, 625 нс @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL= 21 (DDR4-2933)
- 0,750 нс @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750 нс @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0,833 нс @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0,833 нс @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0,937 нс @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1,071 нс @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Самообновление
- Стандартный.
Рабочая температура
- Коммерческие (0°C≤Tc≤95°C)
Пересмотр
MT40A1G16KNR-075:E - это конкретный номер части для модуля памяти.
MT40A1G16KNR-075:E на основе результатов поиска:
-
Производитель и продукт:
-
Спецификации:
- Пропускная способность: "1G" в номере части указывает на пропускную способность 1 Гигабита (Gb), что эквивалентно 128 Мегабайтам
- (MB)[2].
- Организация: "16" в номере части представляет собой организацию модуля памяти, который составляет 16 бит[2].
- Скорость: "075" в номере части указывает степень скорости модуля.
- скорость передачи 2133 мегатрансфер в секунду (MT/s)[2].
- Напряжение: "E" в номере части означает уровень напряжения модуля, который составляет 1,2 вольта.[2].
-
Применение:
- Модуль памяти MT40A1G16KNR-075:E обычно используется в различных электронных устройствах, таких как компьютеры, серверы и другие системы, требующие высокопроизводительной памяти[2].
