NT2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D
NT2СТРУКТРУКТ
,2Gbit DRAM чип
,NT2ПРЕДУПРОВЕДЕНИЕ
NT2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D
| Модель | NT1пограничная служба |
| Плотность DRAM | 2 Гб |
| Конфигурация | x16 |
| Напряжение | 1.35В |
| Пакет | 96-кулевой BGA |
| Скорость | 1866 Мбит / с |
| Температура | -40°C~95°C |
| Уровень | Промышленный |
ОПИСАНИЯ
Соответствует требованиям JEDEC DDR3
8n Архитектура Prefetch
Дифференциальные часы (CK/CK) и данные (DQS/DQS)
Уровень двойной передачи данных по DQ, DQS и DM
Целостность данных
Автоматическое самообновление (ASR) с встроенной DRAM
Моды автоматического обновления и самообновления
Режим энергосбережения
️ Режим отключения
Целостность сигнала
Конфигурируемый DS для совместимости системы
Конфигурируемое завершение работы
Калибрация ZQ для точности импеданса DS/ODT через
Внешняя ZQ-подставка (240 Ом ± 1%)
Синхронизация сигнала
Запись выравнивания через настройки MR 5
Читать Уровнение с помощью MPR
Интерфейс и питание
¢ SSTL_15 для DDR3:VDD/VDDQ=1.5V ((±0.075V)
¢ SSTL_1353 для DDR3L:VDD/VDDQ=1.35V ((-0.067/+0.1V)
Варианты
Уровень скорости (CL-TRCD-TRP) 1
2133 Мбит/с / 14-14-14
- 1866 Мбит / 13-13
1600 Мбит/с / 11-11-11
Диапазон температуры (Tc) 3
Промышленный класс = 0°C~95°C
Квазипромышленный класс (-T) = -40°C~95°C
Промышленный класс (-I) = -40°C~95°C
Программируемые функции
CAS-задержка (6/7/8/9/10/11/13/14)
CAS задержка записи (5/6/7/8/9/10)
Аддитивная задержка (0/CL-1/CL-2)
Напишите время восстановления (5/6/7/8/10/12/14/16)
Тип взрыва (последовательный/промежуточный)
Длина взрыва (BL8/BC4/BC4 или 8 на лету)
СамообновлениеТемпературный диапазон ((нормальный/расширенный)
Импеданс выходного драйвера (34/40)
Окончательное расторжение Rtt_Nom ((20/30/40/60/120)
Окончательное прекращение Rtt_WR ((60/120)
Загрузка заранее (медленно/быстро)
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd является крупномасштабным поставщиком, специализирующимся на известных полупроводниковых интегральных схемах (ICS) со всего мира.
У нас многолетний опыт управления продажами, профессиональная поддержка различных электронных компонентов и большой запас в течение длительного времени.
Он в основном агент CCTC Advanced Ceramic Capacitors
RICHTEK,SGMRICO,распространяет AD,XILINX,ST,ALTERA,TI и все серии IC и резисторов,индукторов и форм.Продукты широко используются в области портативных электронных продуктов.Основанные на технологиях и ориентированные на рынокМы накопили богатый опыт работы и сформировали полную систему управления.она установила хорошие отношения сотрудничества с производителями и агентами в США., Европы, Японии, Южной Кореи и Тайваня, и постоянно улучшает качество услуг.Бизнес быстро развивался и установил долгосрочные дружественные отношения сотрудничества со многими торговцами и производителями по всей стране.Компания всегда придерживается концепции развития и цели "качество в первую очередь, разумная цена, быстрая доставка и обслуживание в первую очередь".Наш долг - предоставить наиболее удовлетворительный сервис для предприятия.Благодаря сильной системе рыночных услуг мы предоставляем стандартизированные, профессиональные, разнообразные и всесторонние высококачественные услуги предприятию.
Телефон: +86-755-23606019
Адрес: комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, Район Футиань,Шэньчжэнь,Гуандун,Китай
Лэни
Телефон: +86-13420902155
Электронная почта: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1 Гбит 4 3 Вольт 24/25 TBGA 2
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Интегрированные схемы
JS28F512M29EWHA Flash - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP интегрированные схемы IC
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1 Гбит 4 3 Вольт 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
|
|
|
|
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Интегрированные схемы |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
|
|
|
|
JS28F512M29EWHA Flash - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP интегрированные схемы IC |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
|
