vr
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Дом
продукты
производителей
О нас
Отправьте RFQ
Дом > продукты > Транзисторы RF
Фильтры
Фильтры

Интегральные микросхемы

(27689)

Транзисторы RF

(16)

Оптоэлектроника

(1)

N P канал Mosfet

(19)

Модуль IGBT

(42)

Оптически датчики

(3)

керамические конденсаторы

(458)

Индукторы RF

(16)

Резисторы чипов

(7)

Светодиоды высокой мощности

(11)

Соединения RF

(38)

Промышленное реле

(11)

SMD DIP кристалл

(6)

Диоды ТВ

(14)

Другие компоненты

(46)

Транзисторы RF

2SA1943-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
Stock: 2000PCS
ZXTN25100BFHTA Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W RF транзисторы

ZXTN25100BFHTA Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W RF транзисторы
J201 JFET N-канальный транзистор Общий назначение высокомощные RF транзисторы

J201 JFET N-канальный транзистор Общий назначение высокомощные RF транзисторы
BLF177 MRF150 RF MOSFET Транзисторы 5-150 МГц 150 Ватт 50 Вольт Прибыль 17 дБ

BLF177 MRF150 RF MOSFET Транзисторы 5-150 МГц 150 Ватт 50 Вольт Прибыль 17 дБ
BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR высокомощный радиочастотный транзистор

BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR высокомощный радиочастотный транзистор
ZTX951STZ Биполярный транзистор IC BJT PNP Big Chip SELine

ZTX951STZ Биполярный транзистор IC BJT PNP Big Chip SELine
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
IRF1407PBF N-канал 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) через отверстие TO-220AB RF транзисторы

IRF1407PBF N-канал 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) через отверстие TO-220AB RF транзисторы
IRF1407PBF N-канал 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) через отверстие TO-220AB RF транзисторы
INFINEON
500 шт.
MJ13333 SWITCHMODE серия 20 АМПЕР НПН Кремниевый транзистор 400- 500 ВОЛТ 175 Ватт

MJ13333 SWITCHMODE серия 20 АМПЕР НПН Кремниевый транзистор 400- 500 ВОЛТ 175 Ватт
MJ13333 SWITCHMODE серия 20 АМПЕР НПН Кремниевый транзистор 400- 500 ВОЛТ 175 Ватт
Motorola
1000 шт.
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB 500W NI-780 RF транзисторы

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB 500W NI-780 RF транзисторы
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB 500W NI-780 RF транзисторы
Qorvo
100 шт.
PC817X3NSZW ФОТОКОПЛЕР Оптимулятор выходный канал 4-DIP транзистор

PC817X3NSZW ФОТОКОПЛЕР Оптимулятор выходный канал 4-DIP транзистор
PC817X3NSZW ФОТОКОПЛЕР Оптимулятор выходный канал 4-DIP транзистор
Острый
1000 шт.
ADM2209EARUZ RS-232 Интерфейс IC Мировой самый маленький двойной порт 6 Tx/10 Rx RS-232

ADM2209EARUZ RS-232 Интерфейс IC Мировой самый маленький двойной порт 6 Tx/10 Rx RS-232
ADM2209EARUZ RS-232 Интерфейс IC Мировой самый маленький двойной порт 6 Tx/10 Rx RS-232
ADI
3000 шт.
S9014 Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Поверхностный монтаж SOT-23

S9014 Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Поверхностный монтаж SOT-23
S9014 Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Поверхностный монтаж SOT-23
ОАО "ЮСЖ"
3000 шт.
FDV303N цифровые FET N-Channel MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 RF транзисторы

FDV303N цифровые FET N-Channel MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 RF транзисторы
FDV303N цифровые FET N-Channel MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 RF транзисторы
ОНСЕМИ
2000 шт.
JAN2N2222A Биполярные транзисторы - BJT 50 V

JAN2N2222A Биполярные транзисторы - BJT 50 V
JAN2N2222A Биполярные транзисторы - BJT 50 V
Микрочип
1000 шт.
VOS617A-4T Транзистор оптоизолятора Выход 3750Vrms 1 канал высокомощный рф-транзистор

VOS617A-4T Транзистор оптоизолятора Выход 3750Vrms 1 канал высокомощный рф-транзистор
VOS617A-4T Транзистор оптоизолятора Выход 3750Vrms 1 канал высокомощный рф-транзистор
Вишай
2000 шт.
2SC5200-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)

2SC5200-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
2SC5200-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
Тошиба
2000 шт.
2SA1943-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
2SA1943-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
Тошиба
2000 шт.
ZXTN25100BFHTA Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W RF транзисторы

ZXTN25100BFHTA Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W RF транзисторы
J201 JFET N-канальный транзистор Общий назначение высокомощные RF транзисторы

J201 JFET N-канальный транзистор Общий назначение высокомощные RF транзисторы
BLF177 MRF150 RF MOSFET Транзисторы 5-150 МГц 150 Ватт 50 Вольт Прибыль 17 дБ

BLF177 MRF150 RF MOSFET Транзисторы 5-150 МГц 150 Ватт 50 Вольт Прибыль 17 дБ
BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR высокомощный радиочастотный транзистор

BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR высокомощный радиочастотный транзистор
ZTX951STZ Биполярный транзистор IC BJT PNP Big Chip SELine

ZTX951STZ Биполярный транзистор IC BJT PNP Big Chip SELine
1
Свяжитесь с нами
Адрес: Комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, район Футиань, Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
Электронная почта: sales@wisdtech.com.cn
Телефон: 86-0755-23606019
продукты

Интегральные микросхемы

Транзисторы RF

Оптоэлектроника

N P канал Mosfet

Модуль IGBT

Оптически датчики

керамические конденсаторы

Индукторы RF

Резисторы чипов

Светодиоды высокой мощности
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Китай Хорошее качество Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 Wisdtech Technology Co.,Limited . Все права Зарезервированный.