vr
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국어 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی Polski
Дом
продукты
производителей
О нас
Отправьте RFQ
Дом > продукты > N P канал Mosfet
Фильтры
Фильтры

Интегральные микросхемы

(27648)

Транзисторы RF

(15)

Оптоэлектроника

(1)

N P канал Mosfet

(19)

Модуль IGBT

(42)

Оптически датчики

(2)

керамические конденсаторы

(456)

Индукторы RF

(16)

Резисторы чипов

(7)

Светодиоды высокой мощности

(11)

Соединения RF

(38)

Промышленное реле

(11)

SMD DIP кристалл

(6)

Диоды ТВ

(14)

Другие компоненты

(46)

N P канал Mosfet

NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)

NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)

NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Stock: 2000PCS
VT6M1T2CRMosfet Массив 20V 100mA 120mW Поверхностная установка VMT6 N P Канал Mosfet

VT6M1T2CRMosfet Массив 20V 100mA 120mW Поверхностная установка VMT6 N P Канал Mosfet

VT6M1T2CRMosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 N P Channel Mosfet
Stock: 1000PCS
PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Поверхностная установка DFN1010B-6

PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Поверхностная установка DFN1010B-6

PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
Stock: 2000pcs
APT10090BLL Технология микрочипов MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS

APT10090BLL Технология микрочипов MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS

APT10090BLL Microchip Technology MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS
Stock: 1000PCS
PMCXB900UE 20V дополнительный N/P-канал траншеи MOSFET N P-канал Mosfet

PMCXB900UE 20V дополнительный N/P-канал траншеи MOSFET N P-канал Mosfet

PMCXB900UE 20V complementary N/P-channel Trench MOSFET N P Channel Mosfet
Stock: 2000PCS
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Канал Мосфета

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Канал Мосфета

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Channel Mosfet
Stock: 2000PCS
FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N и P Mosfet

FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N и P Mosfet

FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N And P Mosfet
Stock: 1000PCS
SI4632DY-T1 N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Наземная установка 8-SOIC

SI4632DY-T1 N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Наземная установка 8-SOIC

SI4632DY-T1 N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Stock: 5000PCS
SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Канал Мосфета

SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Канал Мосфета

SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Channel Mosfet
Stock: 500pcs
IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) На поверхности установка TO-268AA

IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) На поверхности установка TO-268AA

IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Stock: 1000PCS
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)

NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)
NTR1P02LT1G P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)
ОНСЕМИ
2000 шт.
VT6M1T2CRMosfet Массив 20V 100mA 120mW Поверхностная установка VMT6 N P Канал Mosfet

VT6M1T2CRMosfet Массив 20V 100mA 120mW Поверхностная установка VMT6 N P Канал Mosfet
VT6M1T2CRMosfet Массив 20V 100mA 120mW Поверхностная установка VMT6 N P Канал Mosfet
ROHM
1000 шт.
PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Поверхностная установка DFN1010B-6

PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Поверхностная установка DFN1010B-6
PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Поверхностная установка DFN1010B-6
Нексперия
2000 шт.
APT10090BLL Технология микрочипов MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS

APT10090BLL Технология микрочипов MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS
APT10090BLL Технология микрочипов MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS
Микрочип
1000 шт.
PMCXB900UE 20V дополнительный N/P-канал траншеи MOSFET N P-канал Mosfet

PMCXB900UE 20V дополнительный N/P-канал траншеи MOSFET N P-канал Mosfet
PMCXB900UE 20V дополнительный N/P-канал траншеи MOSFET N P-канал Mosfet
Нексперия
2000 шт.
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Канал Мосфета

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Канал Мосфета
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Канал Мосфета
INFINEON
2000 шт.
FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N и P Mosfet

FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N и P Mosfet
FDC608PZ MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET N и P Mosfet
ОНСЕМИ
1000 шт.
SI4632DY-T1 N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Наземная установка 8-SOIC

SI4632DY-T1 N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Наземная установка 8-SOIC
SI4632DY-T1 N-Channel 25 V 40A (Tc) 3,5 W (Ta) 7,8 W (Tc) Поверхностная установка 8-SOIC
Вишай
5000 штук
SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Канал Мосфета

SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Канал Мосфета
SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Канал Мосфета
INFINEON
500 шт.
IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) На поверхности установка TO-268AA

IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) На поверхности установка TO-268AA
IXFT15N100Q N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) На поверхности установка TO-268AA
IXYS
1000 шт.
STL150N3LLH5 MOSFET N-канал 30 V PowerFLAT N P Канал Мосфета

STL150N3LLH5 MOSFET N-канал 30 V PowerFLAT N P Канал Мосфета
STL150N3LLH5 MOSFET N-канал 30 V PowerFLAT N P Канал Мосфета
STMикроэлектроника
2000 шт.
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz МОСФЕТ-транзистор мощности

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz МОСФЕТ-транзистор мощности
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz МОСФЕТ-транзистор мощности
Лаборатория семени
200 шт.
STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT N P канал Мосфета

STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT N P канал Мосфета
BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Канал Мосфета

BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Канал Мосфета
D1028UK RF MOSFET Транзисторы RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-прицепный корпус DR p канал mosfet

D1028UK RF MOSFET Транзисторы RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-прицепный корпус DR p канал mosfet
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET продвижение C-серии

FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET продвижение C-серии
SI7804DN-T1-E3DKR-ND N-Channel MOSFET IC 30V Мосфеты с быстрым переключением

SI7804DN-T1-E3DKR-ND N-Channel MOSFET IC 30V Мосфеты с быстрым переключением
SI7121DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET IC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V

SI7121DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET IC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V
OPA657N/250 Высокоскоростные операционные усилители 1,6 ГГц с низким уровнем шума FET-Input Op Amp IC

OPA657N/250 Высокоскоростные операционные усилители 1,6 ГГц с низким уровнем шума FET-Input Op Amp IC
1
Свяжитесь с нами
Адрес: Комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, район Футиань, Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
Электронная почта: sales@wisdtech.com.cn
Телефон: 86-0755-23606019
продукты

Интегральные микросхемы

Транзисторы RF

Оптоэлектроника

N P канал Mosfet

Модуль IGBT

Оптически датчики

керамические конденсаторы

Индукторы RF

Резисторы чипов

Светодиоды высокой мощности
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Китай Хорошее качество Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 Wisdtech Technology Co.,Limited . Все права Зарезервированный.